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IGBT, MOSFET, SSR이란? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 전력용 MOSFET의 전압 구동 및 고속 스위칭이라는 특징과 전력용 트랜지스터의 고내압 및 고유도성의 특징을 가진 복합 소자이다.  IGBT는 고입력 임피던스를 가지고 있으며, 온 상태 시 도통 손실이 낮다. 다만, BJT와 같은 2차 항복 현상 문제는 발생하지 않는다. 이러한 특징 때문에 기존의 BJT, GTO 등이 사용되어 온 분야에서 IGBT로 상당수 대체되고 있다. IGBT는 세 개의 단자 게이트(gate), 콜렉터(collector), 이미터(emitter)를 가지고 있으며, 게이트와 이미터 간의 전압으로 콜렉터 전류를 제어한다. IGBT는 절연 처리된 베이스 단자를 가졌고, 절연된 베이스 단자를 게이트(gate)라고 한다.. 2024. 8. 8.
사이리스터(thyristor)란? 전력용 반도체 소자 중 하나인 사이리스터는 실리콘 제어 정류기(SCR, Silicon-Controlled Rectifier)와 같은 의미로 사용되며, 전력용 반도체 스위치 중 핵심 소자로 전력 변환 장치에 광범위하게 사용되고 있다. 사이리스터의 종류는 강제 전류 사이리스터, 선전류 사이리스터, 게이트 턴오프 사이리스터(GTO), 역도통 사이리스터(RCT), 정전 유도 사이리스터(SITH), 게이트 보조 턴오프 사이리스터(GATT), 광 실리콘 제어 정류기(LASCR), MOS 턴오프(MTO), MOS 제어 사이리스터(MCT) 등이 있다. 사이리스터는 애노드(anode), 캐소드(cathode), 게이트(gate)의 세 단자로 구성되어 있다. 전류의 방향은 애노드에서 캐소드로 항상 동일하다. 사이리스터가 .. 2024. 8. 6.
다이오드란? 다이오드(diode)는 전력용 반도체 소자 중 가장 기본적인 소자로, 두 단자를 가진 PN 접합 소자이다. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 도통시키고, 반대 방향으로는 절연체와 같은 동작으로 하여 전류가 흐르지 못하는 특성의 전력용 반도체 소자로서, 정류기, 직류 초퍼 또는 무정전 전원 공급장치(UPS, Uninterruptible Power Supply System) 등에 사용된다. 다이오드는 온•오프 제어가 불가능한 소자로, 단방향 전압 저지, 단방향 전류 특성을 갖는다. 다이오드는 양극측 에노드(A, anode), 음극측 케소드(K, cathode)로 구성된다.  다이오드의 V-I 특성1) 순방향 바이어스 영역다이오드의 에노드(anode) 측이 케소드(cathode) 측에 비해 전위가 높을 때 다.. 2024. 8. 4.
전력 변환 방식은 어떤것들이 있을까? 전력 변환이란, 사용전원을 어떠한 목적에 따라 그 종류를 바꾸는 것을 말한다. 가정에 공급되는 교류전원을 핸드폰, 태블릿 등의 전자 제품에 바로 충전할 수 없다. 충전기 어댑터가 필요한 이유는 인입된 교류전원을 적정 크기의 직류전원으로 변환하여 전자 제품에 충전하기 위함이다. 또한 인버터형 에어컨, 제습기 등의 인버터형 전자 제품도 전력 변환 방식의 한 종류를 채택한 것이다. 이렇듯, 전력 변환 장치는 실생활에 아주 밀접하게 관련되어 있다.  전력 변환 장치가 동작되기 위해 요구되는 여러 조건이 있다.출력 전원은 요구되는 값과 파형이 일치해야 한다출력 전원은 부하의 변화, 입력 전원 및 구성 요소에 의해 큰 영향을 받지 않아야 한다전력 변환 장치는 전원 측 파형 왜곡과 부담을 최소화해야 한다출력 전원은 .. 2024. 8. 3.

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